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@a本书共9章,主要内容为:绪论,化合物半导体材料基础;化合物半导体中的缺陷;宽带隙半导体发光;化合物半导体器件基本原理,包括pn结、超晶格与量子阱;宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用等。
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| 宽禁带化合物半导体材料与器件=Wide band gap compound semiconductor materials and devices/朱丽萍,何海平编著.-杭州:浙江大学出版社,2016.09 |
| 185页:图;26cm |
| 高等院校材料专业系列规划教材 材料科学与工程 |
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| ISBN 978-7-308-15746-9:CNY29.00 |
| 本书共9章,主要内容为:绪论,化合物半导体材料基础;化合物半导体中的缺陷;宽带隙半导体发光;化合物半导体器件基本原理,包括pn结、超晶格与量子阱;宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用等。 |
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正题名:宽禁带化合物半导体材料与器件
索取号:TN304.2/Z854
 
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1334408
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213344086
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自科库301/301自科库 26排1列1层/
[索取号:TN304.2/Z854]
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在馆
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2
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自科库301/301自科库 26排1列1层/
[索取号:TN304.2/Z854]
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在馆
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