书目信息 |
| 题名： |
微纳米MOS器件可靠性与失效机理
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| 作者： | 郝跃 ， 刘红侠 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2008.03 |
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| 页数： | 14,446页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 半导体科学与技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN4 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 纳米材料--微电子技术--电子器件--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-020586-5 | |
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| 微纳米MOS器件可靠性与失效机理/郝跃，刘红侠著.-北京：科学出版社，2008.03 |
| 14,446页：图；24cm.-(半导体科学与技术丛书) |
| 国家科学技术学术著作出版基金资助出版 |
| ISBN 978-7-03-020586-5(精装)：CNY78.00 |
| 本书主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论，目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系，阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。 |
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正题名：微纳米MOS器件可靠性与失效机理
索取号：TN4/H1431
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1208820 | 212088202 | 自科库301/301自科库 19排3列5层/ [索取号:TN4/H1431] | 在馆 | |
| 2 | 1208821 | 212088211 | 自科库301/301自科库 19排3列5层/ [索取号:TN4/H1431] | 在馆 |