书目信息 |
| 题名： |
先进计算光刻
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| 作者： | 李艳秋 ， 马旭 ， 孙义钰 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2024.04 |
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| 页数： | 233页 | |
| 开本： | 25cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN405.98 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 集成电路工艺--ji cheng dian lu gong yi--电子束光刻 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-078124-6 | |
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| 304 | @a题名页题: 李艳秋, 马旭, 孙义钰, 袁森著 | |
| 306 | @a国家科学技术学术著作出版基金资助出版 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中, 建立的先进计算光刻技术, 包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等, 能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源, 无法最佳匹配实际光刻系统之所需, 导致增加工艺迭代时间的问题。 | |
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| 先进计算光刻/李艳秋 ... [等] 著.-北京：科学出版社，2024.04 |
| 233页：图；25cm |
| ISBN 978-7-03-078124-6(精装)：CNY130.00 |
| 本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中, 建立的先进计算光刻技术, 包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等, 能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源, 无法最佳匹配实际光刻系统之所需, 导致增加工艺迭代时间的问题。 |
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正题名：先进计算光刻
索取号：TN405.98/L315
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