书目信息

书名: 先进计算光刻 
作者: 李艳秋 , 马旭 , 孙义钰 著
出版信息: 北京   科学出版社  2024.04
开本页数: 25cm  233页
丛书名:
单 册:
中图分类: TN405.98
科图分类:
主题词: 集成电路工艺--ji cheng dian lu gong yi--电子束光刻
电子资源:
ISBN: 978-7-03-078124-6
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330    @a本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中, 建立的先进计算光刻技术, 包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等, 能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源, 无法最佳匹配实际光刻系统之所需, 导致增加工艺迭代时间的问题。
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    先进计算光刻/李艳秋 ... [等] 著.-北京:科学出版社,2024.04
    233页:图;25cm
    
    
    ISBN 978-7-03-078124-6(精装):CNY130.00
    本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中, 建立的先进计算光刻技术, 包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等, 能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源, 无法最佳匹配实际光刻系统之所需, 导致增加工艺迭代时间的问题。
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正题名:先进计算光刻     索取号:TN405.98/L315         预约/预借

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