书目信息 |
| 题名: |
CMOS射频集成电路设计
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| 作者: | 李 著 ;余志平 , 周润德 译 | |
| 分册: | ||
| 出版信息: | 北京 电子工业出版社 2024.03 |
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| 页数: | 19, 595页 | |
| 开本: | 26cm | |
| 丛书名: | 国外电子与通信教材系列 | |
| 单 册: | ||
| 中图分类: | TN432 | |
| 科图分类: | ||
| 主题词: | CMOS电路--CMOS dian lu--电路设计--高等学校--教材 | |
| 电子资源: | ||
| ISBN: | 978-7-121-47453-8 | |
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| 305 | @a译自原书第2版 | |
| 306 | @a本书中文简体翻译版的版权属于Cambridge University Press和电子工业出版社 | |
| 314 | @a责任者规范汉译姓: 李 | |
| 314 | @aThomas H. Lee, 于1990年获得美国麻省理工学院电机工程系博士学位, 现为斯坦福大学电气工程系教授。此外, 他还是IEEE固态电路学会和IEEE微波理论与技术学会的杰出讲演者。 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理; 在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上, 介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术; 着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法, 详细讨论了关键的射频电路模块, 包括低噪声放大器 (LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。 | |
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| CMOS射频集成电路设计= The design of CMOS radio-frequency integrated circuits/(美) Thomas H. Lee著/余志平, 周润德等译.-第2版.-北京:电子工业出版社,2024.03 |
| 19, 595页:图;26cm.-(国外电子与通信教材系列) |
| ISBN 978-7-121-47453-8:CNY159.00 |
| 本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理; 在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上, 介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术; 着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法, 详细讨论了关键的射频电路模块, 包括低噪声放大器 (LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。 |
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正题名:CMOS射频集成电路设计
索取号:TN432/L120=2
 
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