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01746nam 2200361 450
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001
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2437747646
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@a978-7-121-47453-8@dCNY159.00
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@a20240718d2024 em y0chiy0120 ea
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@achi@ceng
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@aCN@b110000
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@aak a 000yy
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@ar
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@aCMOS射频集成电路设计@ACMOS she pin ji cheng dian lu she ji@d= The design of CMOS radio-frequency integrated circuits@f(美) Thomas H. Lee著@g余志平, 周润德等译@zeng
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@a第2版
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@a北京@c电子工业出版社@d2024.03
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@a19, 595页@c图@d26cm
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@a国外电子与通信教材系列@Aguo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie
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@a译自原书第2版
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@a本书中文简体翻译版的版权属于Cambridge University Press和电子工业出版社
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@a责任者规范汉译姓: 李
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@aThomas H. Lee, 于1990年获得美国麻省理工学院电机工程系博士学位, 现为斯坦福大学电气工程系教授。此外, 他还是IEEE固态电路学会和IEEE微波理论与技术学会的杰出讲演者。
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@a有书目
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@a本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理; 在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上, 介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术; 着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法, 详细讨论了关键的射频电路模块, 包括低噪声放大器 (LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。
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@12001 @a国外电子与通信教材系列
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@aDesign of CMOS radio-frequency integrated circuits@mChinese
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@a
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@aCMOS电路@ACMOS dian lu@x电路设计@x高等学校@j教材
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@aTN432@v5
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@a李@Ali@g(Lee, Thomas H.)@4著
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@a余志平@Ayu zhi ping@4译
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@a周润德@Azhou run de@4译
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@aCN@c20240718
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@dTN432@eL120=2@f1@sTN432/L120=2@S@Z
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| CMOS射频集成电路设计= The design of CMOS radio-frequency integrated circuits/(美) Thomas H. Lee著/余志平, 周润德等译.-第2版.-北京：电子工业出版社，2024.03 |
| 19, 595页：图；26cm.-(国外电子与通信教材系列) |
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| ISBN 978-7-121-47453-8：CNY159.00 |
| 本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理; 在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上, 介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术; 着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法, 详细讨论了关键的射频电路模块, 包括低噪声放大器 (LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。 |
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正题名：CMOS射频集成电路设计
索取号：TN432/L120=2
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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21614254
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216142546
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自科库301/301自科库 28排1列4层/
[索取号:TN432/L120=2]
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在馆
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