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@a本书介绍了CMOS低压差线性稳压器(LDO)芯片设计技术，包括系统结构与组成，以及基准电路、误差放大器、辅助电器等，对其中的设计关键技术，例如频率补偿、电源噪声抑制、大信号响应等技术有分析。在电路理论分析的基础上，提出了低功耗LDO、无片外电容LD0以及高电源噪声抑制LDO芯片的设计方法，并有仿真与测试结果。
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| CMOS低压差线性稳压器/王忆，何乐年著.-北京：科学出版社，2012.06 |
| 266页；24cm |
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| ISBN 978-7-03-034534-9：CNY50.00 |
| 本书介绍了CMOS低压差线性稳压器(LDO)芯片设计技术，包括系统结构与组成，以及基准电路、误差放大器、辅助电器等，对其中的设计关键技术，例如频率补偿、电源噪声抑制、大信号响应等技术有分析。在电路理论分析的基础上，提出了低功耗LDO、无片外电容LD0以及高电源噪声抑制LDO芯片的设计方法，并有仿真与测试结果。 |
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正题名：CMOS低压差线性稳压器
索取号：TM44/W423
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1213230
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212132306
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自科库301/301自科库 15排2列3层/
[索取号:TM44/W423]
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在馆
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