书目信息 |
| 题名： |
数字集成电路分析与设计
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| 作者： | 杰克逊, ， 萨利赫, ， 霍兹, 著 ；陈自力 ， 蒋安平 ， 王新安 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 电子工业出版社 2005.09 |
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| 页数： | 425页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN431.2 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 数字集成电路--shu zi ji cheng dian lu--电路分析 , 数字集成电路--shu zi ji cheng dian lu--电路设计 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 7-121-01666-4 | |
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| 101 | 1 | @achi@ceng |
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| 200 | 1 | @a数字集成电路分析与设计@Ashu zi ji cheng dian lu fen xi yu she ji@e深亚微米工艺@d= Analysis and design of digital integrated circuits@eIn deep submicron technology@f(美) Davia A. Hodges, Horace G. Jackson, Resve A. Saleh著@F(mei)Davia A.Hodges,Horace G.Jackson,Resve A.Saleh zhu@g蒋安平, 王新安, 陈自力等译@Gjiang an ping,wang xin an,chen zi li deng yi@zeng |
| 210 | @a北京@c电子工业出版社@d2005.09 | |
| 215 | @a425页@c图@d26cm | |
| 300 | @a国外电子与通信教材系列 | |
| 305 | @a据The McGraw-Hill Companies, Inc. 2004年英文版第3版译出 | |
| 306 | @a由电子工业出版社和美国麦格劳-希尔教育出版 (亚洲) 公司合作出版 | |
| 314 | @a责任者 (Hodges)、(Jackson)、(Saleh) 规范汉译姓: 霍兹, 杰克逊, 萨利赫 | |
| 320 | @a有书目。 | |
| 330 | @a本书以半导体器件物理为基础，阐述了深亚微米工艺中数字集成电路的设计技术。内容包括器件模型和公式、基本门电路、静态与动态电路、存储器设计、互连线产生的效应和芯片中电源网格与时钟的分布等。 | |
| 510 | 1 | @aAnalysis and design of digital integrated circuits@eIn deep submicron technology@zeng |
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| 606 | 0 | @a数字集成电路@Ashu zi ji cheng dian lu@x电路设计 |
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| 701 | 1 | @a杰克逊,@Ajie ke xun,@bH. G.@g(Jackson, Horace G.)@4著 |
| 701 | 1 | @a萨利赫,@Asa li he,@bR. A.@g(Saleh, Resve A.)@4著 |
| 701 | 1 | @a霍兹,@Ahuo zi,@bD. A.@g(Hodges, Davia A.)@4著 |
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| 702 | 0 | @a蒋安平@Ajiang an ping@4译 |
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| 数字集成电路分析与设计：深亚微米工艺= Analysis and design of digital integrated circuits：In deep submicron technology/(美) Davia A. Hodges, Horace G. Jackson, Resve A. Saleh著/蒋安平, 王新安, 陈自力等译.-北京：电子工业出版社，2005.09 |
| 425页：图；26cm |
| 国外电子与通信教材系列 |
| ISBN 7-121-01666-4：CNY48.00 |
| 本书以半导体器件物理为基础，阐述了深亚微米工艺中数字集成电路的设计技术。内容包括器件模型和公式、基本门电路、静态与动态电路、存储器设计、互连线产生的效应和芯片中电源网格与时钟的分布等。 |
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正题名：数字集成电路分析与设计
索取号：TN431.2/H979
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 589983 | 205899839 | 自科库301/301自科库 20排4列3层/ [索取号:TN431.2/H979] | 在馆 | |
| 2 | 589984 | 205899848 | 自科库301/404自科库 19排1列1层/ [索取号:TN431.2/H979] | 在馆 | |
| 3 | 589985 | 205899857 | 自科库301/301自科库 20排4列3层/ [索取号:TN431.2/H979] | 在馆 |