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01594nam 2200349 450
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20250815155945.35
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@a978-7-111-76264-5@dCNY99.00
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@a20240926d2024 em y0chiy50 ea
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@achi@ceng
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@aCN@b110000
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@aa a 000yy
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@a半导体存储器件与电路@Aban dao ti cun chu qi jian yu dian lu@f(美) 余诗孟著@g高滨, 唐建石, 吴华强译
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@a北京@c机械工业出版社@d2024.09
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@aXII, 195页@c图 (部分彩图)@d24cm
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@a集成电路科学与工程丛书@Aji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu
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@a由Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司授权出版
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@a原文题名取自封面
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@a余诗孟, 是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授, 也是IEEE会士 (Fellow)。余教授的研究兴趣包括用于高能效计算系统的半导体器件和集成电路。
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@a有书目
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@a本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍, 覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计, 且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术, 第2部分讨论了多种新型的存储器技术, 这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级, 同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。
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@12001 @a集成电路科学与工程丛书
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@aSemiconductor memory devices and circuits@mChinese
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@a半导体器件@Aban dao ti qi jian
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@aTN303@v5
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@a余诗孟@Ayu shi meng@4著
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@a高滨@Agao bin@4译
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@a唐建石@Atang jian shi@4译
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@a吴华强@Awu hua qiang@4译
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@aCN@c20250909
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@a河南城建学院图书馆@dTN303@eY767@f1
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| 半导体存储器件与电路/(美) 余诗孟著/高滨, 唐建石, 吴华强译.-北京:机械工业出版社,2024.09 |
| XII, 195页:图 (部分彩图);24cm.-(集成电路科学与工程丛书) |
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| ISBN 978-7-111-76264-5:CNY99.00 |
| 本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍, 覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计, 且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术, 第2部分讨论了多种新型的存储器技术, 这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级, 同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。 |
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正题名:半导体存储器件与电路
索取号:TN303/Y767
 
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1624260
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216242607
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自科库301/301自科库 25排4列4层/
[索取号:TN303/Y767]
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在馆
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