书目信息 |
| 题名： |
集成电路器件抗辐射加固设计技术
|
|
| 作者： | 闫爱斌 ， 倪天明 ， 黄正峰 ， 崔杰 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2023.03 |
|
| 页数： | 214页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN4 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 集成电路--ji cheng dian lu--电子器件--抗辐射性--机械加固--设计 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-074714-3 | |
| 000 | 01171nam0 2200265 450 | |
| 001 | 482323 | |
| 010 | @a978-7-03-074714-3@dCNY129.00 | |
| 100 | @a20230902d2023 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aak a 000yy | |
| 200 | 1 | @a集成电路器件抗辐射加固设计技术@Aji cheng dian lu qi jian kang fu she jia gu she ji ji shu@f闫爱斌 ... [等] 著 |
| 210 | @a北京@c科学出版社@d2023.03 | |
| 215 | @a214页@c图@d24cm | |
| 304 | @a题名页题其余责任者: 倪天明, 黄正峰, 崔杰 | |
| 320 | @a有书目 (第207-214页) | |
| 330 | @a本书从集成电路器件可靠性问题出发, 具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识, 详细介绍了抗辐射加固设计 (RHBD) 技术以及在该技术中常用的相关组件, 重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器 (SRAM) 单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术, 扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 | |
| 606 | 0 | @a集成电路@Aji cheng dian lu@x电子器件@x抗辐射性@x机械加固@x设计 |
| 690 | @aTN4@v5 | |
| 701 | 0 | @a闫爱斌@Ayan ai bin@4著 |
| 701 | 0 | @a倪天明@Ani tian ming@4著 |
| 701 | 0 | @a黄正峰@Ahuang zheng feng@4著 |
| 701 | 0 | @a崔杰@Acui jie@4著 |
| 801 | 0 | @aCN@c20230902 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN4@eY109 | |
| 集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌 ... [等] 著.-北京：科学出版社，2023.03 |
| 214页：图；24cm |
| ISBN 978-7-03-074714-3：CNY129.00 |
| 本书从集成电路器件可靠性问题出发, 具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识, 详细介绍了抗辐射加固设计 (RHBD) 技术以及在该技术中常用的相关组件, 重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器 (SRAM) 单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术, 扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 |
| ● |
| 相关链接 |
|
|
|
正题名：集成电路器件抗辐射加固设计技术
索取号：TN4/Y109
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1595072 | 215950727 | 自科库301/301自科库 26排3列1层/ [索取号:TN4/Y109] | 在馆 |