书目信息 |
| 题名： |
集成电路器件抗辐射加固设计技术
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| 作者： | 闫爱斌 ， 倪天明 ， 黄正峰 ， 崔杰 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2023.03 |
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| 页数： | 214页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN4 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 集成电路--ji cheng dian lu--电子器件--抗辐射性--机械加固--设计 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-074714-3 | |
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| 304 | @a题名页题其余责任者: 倪天明, 黄正峰, 崔杰 | |
| 320 | @a有书目 (第207-214页) | |
| 330 | @a本书从集成电路器件可靠性问题出发, 具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识, 详细介绍了抗辐射加固设计 (RHBD) 技术以及在该技术中常用的相关组件, 重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器 (SRAM) 单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术, 扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 | |
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| 集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌 ... [等] 著.-北京：科学出版社，2023.03 |
| 214页：图；24cm |
| ISBN 978-7-03-074714-3：CNY129.00 |
| 本书从集成电路器件可靠性问题出发, 具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识, 详细介绍了抗辐射加固设计 (RHBD) 技术以及在该技术中常用的相关组件, 重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器 (SRAM) 单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术, 扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 |
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正题名：集成电路器件抗辐射加固设计技术
索取号：TN4/Y109
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