书目信息 |
题名: |
集成电路器件抗辐射加固设计技术
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作者: | 闫爱斌 , 倪天明 , 黄正峰 , 崔杰 著 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 科学出版社 2023.03 |
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页数: | 214页 | |
开本: | 24cm | |
丛书名: | ||
单 册: | ||
中图分类: | TN4 | |
科图分类: | ||
主题词: | 集成电路--ji cheng dian lu--电子器件--抗辐射性--机械加固--设计 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-03-074714-3 |
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330 | @a本书从集成电路器件可靠性问题出发, 具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识, 详细介绍了抗辐射加固设计 (RHBD) 技术以及在该技术中常用的相关组件, 重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器 (SRAM) 单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术, 扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 | |
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集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌 ... [等] 著.-北京:科学出版社,2023.03 |
214页:图;24cm |
ISBN 978-7-03-074714-3:CNY129.00 |
本书从集成电路器件可靠性问题出发, 具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识, 详细介绍了抗辐射加固设计 (RHBD) 技术以及在该技术中常用的相关组件, 重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器 (SRAM) 单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术, 扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 |
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正题名:集成电路器件抗辐射加固设计技术
索取号:TN4/Y109
 
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