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@a纳米集成电路FinFET器件物理与模型@Ana mi ji cheng dian lu FinFETqi jian wu li yu mo xing@f(美) 萨马·K. 萨哈著 ; 丁扣宝译
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@a北京@c机械工业出版社@d2022.02
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@axiii, 238页@c图@d24cm
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@a集成电路科学与工程丛书@Aji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu
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@a英文题名原文取自版权页
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@aSamarK.Saha，是ProspicientDevices首席研究科学家，也是美国加利福尼亚州圣塔克拉拉大学电气工程系的兼职教授。
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@a有书目
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@a本书原版由Taylor&Francis出版集团旗下，CRC出版公司出版，并经其授权翻译出版本书中文简体翻译版授权由机械工业出版社独家出版
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@a本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述;基本半导体电子学和pn结工作原理;多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理;非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术;FinFET基本理论;FinFET小尺寸效应;FinFET泄漏电流;FinFET寄生电阻和寄生电容;FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战;FinFET器件紧凑模型。
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@12001 @a集成电路科学与工程丛书
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@a纳米材料@Ana mi cai liao@x集成电路工艺@x系统建模
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@aTN405@v5
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@a萨哈@Asa ha@4著
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@a丁扣宝@Ading kou bao@4译
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@a河南城建学院图书馆@dTN405@eS006
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| 纳米集成电路FinFET器件物理与模型/(美) 萨马·K. 萨哈著 ; 丁扣宝译.-北京：机械工业出版社，2022.02 |
| xiii, 238页：图；24cm.-(集成电路科学与工程丛书) |
| 英文题名原文取自版权页.-SamarK.Saha，是ProspicientDevices首席研究科学家，也是美国加利福尼亚州圣塔克拉拉大学电气工程系的兼职教授。 |
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| ISBN 978-7-111-69481-6：CNY119.00 |
| 本书原版由Taylor&Francis出版集团旗下，CRC出版公司出版，并经其授权翻译出版本书中文简体翻译版授权由机械工业出版社独家出版.-本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述;基本半导体电子学和pn结工作原理;多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理;非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术;FinFET基本理论;FinFET小尺寸效应;FinFET泄漏电流;FinFET寄生电阻和寄生电容;FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战;FinFET器件紧凑模型。 |
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正题名：纳米集成电路FinFET器件物理与模型
索取号：TN405/S006
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1588790
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215887903
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自科库301/301自科库 12排2列5层/
[索取号:TN405/S006]
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在馆
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