书目信息 |
| 题名： |
衍射极限附近的光刻工艺
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| 作者： | 伍强 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 清华大学出版社 2020.02 |
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| 页数： | 19, 653页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | 高端集成电路制造工艺丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN305.7 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 光刻设备--guang ke she bei--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-302-53742-7 | |
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| 330 | @a本书将对光刻从设备、材料和工艺以及工艺仿真作一个全面的展示。尤其将针对临近衍射极限的光刻技术, 比如193nm浸没式光刻技术作一个重点地阐述。针对国内缺乏的光刻设备和先进光化学材料的技术情况下, 本书试图在深度上有所突破, 比如在光刻机的结构设计, 校准, 以及各主要零部件所应该达到的尺寸规格和机械精度、测控性能作深入的探讨。 | |
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| 衍射极限附近的光刻工艺= Photolithography process near the diffraction limit/伍强等编著.-北京：清华大学出版社，2020.02 |
| 19, 653页：图 (部分彩图)；26cm.-(高端集成电路制造工艺丛书) |
| 2019年国家出版基金资助项目 “十三五”重点图书出版规划项目 国家出版基金项目 |
| ISBN 978-7-302-53742-7：CNY168.00 |
| 本书将对光刻从设备、材料和工艺以及工艺仿真作一个全面的展示。尤其将针对临近衍射极限的光刻技术, 比如193nm浸没式光刻技术作一个重点地阐述。针对国内缺乏的光刻设备和先进光化学材料的技术情况下, 本书试图在深度上有所突破, 比如在光刻机的结构设计, 校准, 以及各主要零部件所应该达到的尺寸规格和机械精度、测控性能作深入的探讨。 |
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正题名：衍射极限附近的光刻工艺
索取号：TN305.7/W941
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| 1 | 1459990 | 214599905 | 自科库301/301自科库 19排2列4层/ [索取号:TN305.7/W941] | 在馆 |