书目信息 |
| 题名： |
衍射极限附近的光刻工艺
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| 作者： | 伍强 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 清华大学出版社 2020.02 |
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| 页数： | 19, 653页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | 高端集成电路制造工艺丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN305.7 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 光刻设备--guang ke she bei--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-302-53742-7 | |
| 000 | 01362nam 2200277 450 | |
| 001 | CAL 0120202967717 | |
| 010 | @a978-7-302-53742-7@dCNY168.00 | |
| 100 | @a20190916d2020 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa a 001yy | |
| 200 | 1 | @a衍射极限附近的光刻工艺@Ayan she ji xian fu jin de guang ke gong yi@d= Photolithography process near the diffraction limit@f伍强等编著@zeng |
| 210 | @a北京@c清华大学出版社@d2020.02 | |
| 215 | @a19, 653页@c图 (部分彩图)@d26cm | |
| 225 | 2 | @a高端集成电路制造工艺丛书@Agao duan ji cheng dian lu zhi zao gong yi cong shu |
| 300 | @a2019年国家出版基金资助项目 “十三五”重点图书出版规划项目 国家出版基金项目 | |
| 320 | @a有书目和索引 | |
| 330 | @a本书将对光刻从设备、材料和工艺以及工艺仿真作一个全面的展示。尤其将针对临近衍射极限的光刻技术, 比如193nm浸没式光刻技术作一个重点地阐述。针对国内缺乏的光刻设备和先进光化学材料的技术情况下, 本书试图在深度上有所突破, 比如在光刻机的结构设计, 校准, 以及各主要零部件所应该达到的尺寸规格和机械精度、测控性能作深入的探讨。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a高端集成电路制造工艺丛书 |
| 510 | 1 | @aPhotolithography process near the diffraction limit@zeng |
| 606 | 0 | @a光刻设备@Aguang ke she bei@x研究 |
| 690 | @aTN305.7@v5 | |
| 701 | 0 | @a伍强@Awu qiang@4编著 |
| 801 | 0 | @aCN@c20200916 |
| 902 | @aRt921-0644 | |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN305.7@eW941 | |
| 衍射极限附近的光刻工艺= Photolithography process near the diffraction limit/伍强等编著.-北京：清华大学出版社，2020.02 |
| 19, 653页：图 (部分彩图)；26cm.-(高端集成电路制造工艺丛书) |
| 2019年国家出版基金资助项目 “十三五”重点图书出版规划项目 国家出版基金项目 |
| ISBN 978-7-302-53742-7：CNY168.00 |
| 本书将对光刻从设备、材料和工艺以及工艺仿真作一个全面的展示。尤其将针对临近衍射极限的光刻技术, 比如193nm浸没式光刻技术作一个重点地阐述。针对国内缺乏的光刻设备和先进光化学材料的技术情况下, 本书试图在深度上有所突破, 比如在光刻机的结构设计, 校准, 以及各主要零部件所应该达到的尺寸规格和机械精度、测控性能作深入的探讨。 |
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正题名：衍射极限附近的光刻工艺
索取号：TN305.7/W941
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| 1 | 1459990 | 214599905 | 自科库301/301自科库 26排1列2层/ [索取号:TN305.7/W941] | 在馆 |