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@a半导体先进光刻理论与技术@Aban dao ti xian jin guang ke li lun yu ji shu@f(德) 安德里亚斯·爱德曼著@d= Optical and EUV lithography@ea modeling perspective@g李思坤译@zeng
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@a北京@c化学工业出版社@d2023.07
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@a304页@c图 (部分彩图)@d25cm
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@a安德里亚斯·爱德曼, 国际光学工程学会 (SPIE) 会士, 德国弗劳恩霍夫协会计算光刻和光学组学术带头人, 多次担任SPIE光学光刻与光学设计国际会议主席, 弗劳恩霍夫协会国际光刻仿真技术研讨会组织者。李思坤, 中国科学院上海光学精密机械研究所研究员, 博士生导师。长期从事半导体光学光刻与极紫外光刻技术研究。
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@a有书目
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@a本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等, 包括光刻技术的前沿进展, 还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。
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@aOptical and EUV lithography@zeng
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@a半导体光电器件@Aban dao ti guang dian qi jian@x光刻设备@x研究
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@a李思坤@Ali si kun@4译
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| 半导体先进光刻理论与技术/(德) 安德里亚斯·爱德曼著= Optical and EUV lithography：a modeling perspective/李思坤译.-北京：化学工业出版社，2023.07 |
| 304页：图 (部分彩图)；25cm |
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| ISBN 978-7-122-43276-6(精装)：CNY198.00 |
| 本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等, 包括光刻技术的前沿进展, 还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。 |
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正题名：半导体先进光刻理论与技术
索取号：TN305.7/A447
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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21610570
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216105701
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自科库301/301自科库 46排1列3层/
[索取号:TN305.7/A447]
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在馆
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