书目信息 |
| 题名： |
半导体先进光刻理论与技术
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| 作者： | 爱德曼 著 ；李思坤 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 化学工业出版社 2023.07 |
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| 页数： | 304页 | |
| 开本： | 25cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN305.7 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 半导体光电器件--ban dao ti guang dian qi jian--光刻设备--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-122-43276-6 | |
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| 314 | @a安德里亚斯·爱德曼, 国际光学工程学会 (SPIE) 会士, 德国弗劳恩霍夫协会计算光刻和光学组学术带头人, 多次担任SPIE光学光刻与光学设计国际会议主席, 弗劳恩霍夫协会国际光刻仿真技术研讨会组织者。李思坤, 中国科学院上海光学精密机械研究所研究员, 博士生导师。长期从事半导体光学光刻与极紫外光刻技术研究。 | |
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| 330 | @a本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等, 包括光刻技术的前沿进展, 还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。 | |
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| 半导体先进光刻理论与技术/(德) 安德里亚斯·爱德曼著= Optical and EUV lithography：a modeling perspective/李思坤译.-北京：化学工业出版社，2023.07 |
| 304页：图 (部分彩图)；25cm |
| ISBN 978-7-122-43276-6(精装)：CNY198.00 |
| 本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等, 包括光刻技术的前沿进展, 还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。 |
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正题名：半导体先进光刻理论与技术
索取号：TN305.7/A447
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 21610570 | 216105701 | 自科库301/ [索取号:TN305.7/A447] | 在馆 |