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02006nam 2200349 450
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93028
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20250818175634.69
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@a978-7-111-74202-9@dCNY89.00
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@a20240119d2024 em y0chiy50 ea
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@achi@cjpn
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@aCN@b110000
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@aa a 000yy
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@ar
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@a半导体干法刻蚀技术@Aban dao ti gan fa ke shi ji shu@f(日) 野尻一男著@g王文武 ... [等] 译
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@a北京@c机械工业出版社@d2024.01
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@aX, 161页@c图@d24cm
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@a集成电路科学与工程丛书@Aji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu
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@a泛林集团日本公司CTO四十多年研发经验的结晶系统理解刻蚀基础、设备及应用的实践指南
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@a据原书第2版译出
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@a由Gijutsu-Hyoron Co., Ltd.授权出版
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@a原文题名取自封面
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@a野尻一男, 1973年于群马大学工学部电子工学科本科毕业, 1975年于群马大学工学研究科硕士毕业。1975年加入日立制作所, 在半导体事业部从事CVD、器件集成、干法刻蚀的研究开发 ; 特别是对ECR等离子刻蚀和充电损伤进行了开创性研究 ; 作为技术开发领域的领导者, 他还担任过多个管理职位。王文武, 研究员、博士生导师, 现任职于中国科学院重大科技任务局。2006年于日本东京大学获得工学博士学位。长期致力于集成电路先进工艺与器件技术研究, 先后主持多项国家级科研任务, 发表论文两百余篇, 授权发明专利六十余项。
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@a有书目
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@a本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺, 而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术, 介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理, 例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体, 并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。
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@12001 @a集成电路科学与工程丛书
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@aはじめての半導体ドライエッチング技術@mChinese
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@a半导体技术@Aban dao ti ji shu@x干法刻蚀
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@aTN305.7@v5
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@a野尻一男,@Aye kao yi nan@f1973-@4著
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@a王文武@Awang wen wu@4译
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@aCN@c20250909
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@a河南城建学院图书馆@dTN305.7@eY412@f1
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| 半导体干法刻蚀技术/(日) 野尻一男著/王文武 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2024.01 |
| X, 161页：图；24cm.-(集成电路科学与工程丛书) |
| 泛林集团日本公司CTO四十多年研发经验的结晶系统理解刻蚀基础、设备及应用的实践指南 |
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| ISBN 978-7-111-74202-9：CNY89.00 |
| 本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺, 而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术, 介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理, 例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体, 并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。 |
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正题名：半导体干法刻蚀技术
索取号：TN305.7/Y412
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1626986
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216269865
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自科库301/301自科库 26排1列2层/
[索取号:TN305.7/Y412]
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在馆
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