书目信息 |
| 题名： |
半导体干法刻蚀技术
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| 作者： | 野尻一男, 著 ；王文武 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2024.01 |
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| 页数： | X, 161页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 集成电路科学与工程丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN305.7 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 半导体技术--ban dao ti ji shu--干法刻蚀 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-74202-9 | |
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| 001 | 93028 | |
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| 200 | 1 | @a半导体干法刻蚀技术@Aban dao ti gan fa ke shi ji shu@f(日) 野尻一男著@g王文武 ... [等] 译 |
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| 225 | 2 | @a集成电路科学与工程丛书@Aji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu |
| 300 | @a泛林集团日本公司CTO四十多年研发经验的结晶系统理解刻蚀基础、设备及应用的实践指南 | |
| 305 | @a据原书第2版译出 | |
| 305 | @a由Gijutsu-Hyoron Co., Ltd.授权出版 | |
| 312 | @a原文题名取自封面 | |
| 314 | @a野尻一男, 1973年于群马大学工学部电子工学科本科毕业, 1975年于群马大学工学研究科硕士毕业。1975年加入日立制作所, 在半导体事业部从事CVD、器件集成、干法刻蚀的研究开发 ; 特别是对ECR等离子刻蚀和充电损伤进行了开创性研究 ; 作为技术开发领域的领导者, 他还担任过多个管理职位。王文武, 研究员、博士生导师, 现任职于中国科学院重大科技任务局。2006年于日本东京大学获得工学博士学位。长期致力于集成电路先进工艺与器件技术研究, 先后主持多项国家级科研任务, 发表论文两百余篇, 授权发明专利六十余项。 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺, 而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术, 介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理, 例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体, 并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。 | |
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| 半导体干法刻蚀技术/(日) 野尻一男著/王文武 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2024.01 |
| X, 161页：图；24cm.-(集成电路科学与工程丛书) |
| 泛林集团日本公司CTO四十多年研发经验的结晶系统理解刻蚀基础、设备及应用的实践指南 |
| ISBN 978-7-111-74202-9：CNY89.00 |
| 本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺, 而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术, 介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理, 例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体, 并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。 |
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正题名：半导体干法刻蚀技术
索取号：TN305.7/Y412
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