书目信息 |
题名: |
SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术
|
|
作者: | 菅沼克昭 编著 ;何钧 , 许恒宇 译 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 机械工业出版社 2022.01 |
|
页数: | 12, 195页 | |
开本: | 24cm | |
丛书名: | 新型电力电子器件丛书 | |
单 册: | ||
中图分类: | TN305.94 | |
科图分类: | ||
主题词: | 功率半导体器件--gong lv ban dao ti qi jian--封装工艺--可靠性估计 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-111-66953-1 |
000 | 01309oam2 2200277 450 | |
001 | 011025150546 | |
005 | 20221025150546.0 | |
010 | @a978-7-111-66953-1@dCNY89.00 | |
100 | @a20201004d2022 em y0chiy50 ea | |
101 | 1 | @achi@cjpn |
102 | @aCN@b110000 | |
105 | @aab z 000yy | |
106 | @ar | |
200 | 1 | @aSiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术@ASiC/GaNgong lv ban dao ti feng zhuang he ke kao xing ping gu ji shu@f(日) 菅沼克昭编著@g何钧, 许恒宇译 |
210 | @a北京@c机械工业出版社@d2022.01 | |
215 | @a12, 195页@c图, 照片, 地图@d24cm | |
225 | 2 | @a新型电力电子器件丛书@Axin xing dian li dian zi qi jian cong shu |
330 | @a本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心,由熟悉各个领域前沿的专家解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。 | |
410 | 0 | @12001 @a新型电力电子器件丛书 |
606 | 0 | @a功率半导体器件@Agong lv ban dao ti qi jian@x封装工艺@x可靠性估计 |
690 | @aTN305.94@v5 | |
701 | 0 | @c(日)@a菅沼克昭@Ajian zhao ke zhao@4编著 |
702 | 0 | @a何钧@Ahe jun@c(文学)@4译 |
702 | 0 | @a许恒宇@Axu heng yu@4译 |
801 | 0 | @aCN@c20221025 |
905 | @a河南城建学院图书馆@dTN305.94@eJ268 | |
SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术/(日) 菅沼克昭编著/何钧, 许恒宇译.-北京:机械工业出版社,2022.01 |
12, 195页:图, 照片, 地图;24cm.-(新型电力电子器件丛书) |
ISBN 978-7-111-66953-1:CNY89.00 |
本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心,由熟悉各个领域前沿的专家解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。 |
● |
相关链接 |
正题名:SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术
索取号:TN305.94/J268
 
预约/预借
序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
1 | 1584540 | 215845405 | 自科库301/301自科库 19排2列4层/ [索取号:TN305.94/J268] | 在馆 |